BCR198WH6327XTSA1 Technische Spezifikationen

Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SOT-323 T/R

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Vorbelastete BJT-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 26 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case SC-70, SOT-323
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Min Operating Temperature -65°C
HTS Code 8541.21.00.75
Terminal Position DUAL
Base Part Number BCR198
Polarity PNP
Transistor Application SWITCHING
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Max Collector Current 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Collector Emitter Saturation Voltage 300mV
hFE Min 70
Resistor - Emitter Base (R2) 47 k Ω
Length 2mm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Contact Plating Tin
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Published 2009
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 3
Max Operating Temperature 150°C
Additional Feature BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
Max Power Dissipation 250mW
Terminal Form GULL WING
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Halogen Free Halogen Free
Collector Emitter Voltage (VCEO) 300mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 5mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500μA, 10mA
Transition Frequency 190MHz
Frequency - Transition 190MHz
Resistor - Base (R1) 47 k Ω
Height 800μm
Width 1.25mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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BCR191E6327 INFIN Spezialisierte heiße ICs 9000
BCR191E6327HTSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 9230
BCR191E6327HTSA1 Infineon Technologies Vorbelastete BJT-Transistoren
BCR191E6327HTSA1 Rochester Electronics, LLC Vorbelastete BJT-Transistoren
BCR191F INFINEON Spezialisierte heiße ICs 24305
BCR191F E6327 INFINEON Spezialisierte heiße ICs 9334
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