BCR22PNE6433HTMA1 Technische Spezifikationen

TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / BJT-Transistor-Arrays
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Published 2011
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Base Part Number BCR22PN
Transistor Type 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Max Collector Current 100mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500μA, 10mA
Frequency - Transition 130MHz
Resistor - Emitter Base (R2) 22k Ω
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Packaging Tape & Reel (TR)
Part Status Obsolete
Max Power Dissipation 250mW
Power - Max 250mW
Collector Emitter Voltage (VCEO) 300mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 50 @ 5mA 5V
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Resistor - Base (R1) 22k Ω
RoHS Status RoHS Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
BCR22PN SIEMENS Spezialisierte heiße ICs 5374
BCR22PN E6327 SOT363 Spezialisierte heiße ICs 8078
BCR22PN H6327 infineo Spezialisierte heiße ICs 14083
BCR22PN H6433 INFINEO Spezialisierte heiße ICs 328
BCR22PN-E6327 INFINEO Spezialisierte heiße ICs 2513
BCR22PNE6327 INFINEON Spezialisierte heiße ICs 17495
BCR22PNE6327BTSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet 2769
BCR22PNE6327BTSA1 Infineon Technologies BJT-Transistor-Arrays
BCR22PNE6433 INFINEO Spezialisierte heiße ICs 9282
BCR22PNE6433HTMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet 2609

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