BCR22PNH6433XTMA1 Technische Spezifikationen

Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 6-Pin SOT-363 T/R

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / BJT-Transistor-Arrays
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 26 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 6
Published 2011
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 6
Max Operating Temperature 150°C
Additional Feature BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Reference Standard AEC-Q101
Element Configuration Dual
Polarity/Channel Type NPN AND PNP
Collector Emitter Voltage (VCEO) 300mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 50 @ 5mA 5V
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Frequency - Transition 130MHz
Resistor - Emitter Base (R2) 22k Ω
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging Tape & Reel (TR)
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Min Operating Temperature -65°C
Max Power Dissipation 250mW
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Base Part Number BCR22PN
Number of Elements 2
Transistor Application SWITCHING
Transistor Type 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Max Collector Current 100mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500μA, 10mA
Transition Frequency 130MHz
Resistor - Base (R1) 22k Ω
RoHS Status ROHS3 Compliant
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BCR22PN SIEMENS Spezialisierte heiße ICs 5374
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BCR22PN H6327 infineo Spezialisierte heiße ICs 14083
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