BCR35PNH6327XTSA1 Technische Spezifikationen

Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA Automotive 6-Pin SOT-363 T/R

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / BJT-Transistor-Arrays
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 26 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 6
Max Operating Temperature 150°C
Additional Feature BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.7
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Pin Count 6
Number of Elements 2
Element Configuration Dual
Halogen Free Halogen Free
Collector Emitter Voltage (VCEO) 300mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 5mA 5V
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Collector Emitter Saturation Voltage 300mV
Frequency - Transition 150MHz
Resistor - Base (R1) 10k Ω
Height 800μm
Width 1.25mm
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Contact Plating Tin
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 6
Published 2011
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Min Operating Temperature -65°C
Max Power Dissipation 250mW
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Base Part Number BCR35PN
Reference Standard AEC-Q101
Polarity NPN, PNP
Transistor Application SWITCHING
Transistor Type 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Max Collector Current 100mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500μA, 10mA
Transition Frequency 150MHz
Max Breakdown Voltage 50V
hFE Min 70
Resistor - Emitter Base (R2) 47k Ω
Length 2mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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BCR35PN INFINEO Spezialisierte heiße ICs 38828
BCR35PN E6327 SOT363 Spezialisierte heiße ICs 218682
BCR35PN E6433 SOT363 Spezialisierte heiße ICs 9709
BCR35PN H6327 INFINEO Spezialisierte heiße ICs 29289
BCR35PN H6433 International Rectifier (Infineon Technologies) Spezialisierte heiße ICs 10281
BCR35PNE6327 INFINEO Spezialisierte heiße ICs 1388
BCR35PNE6327BTSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet 2782
BCR35PNE6327BTSA1 Infineon Technologies BJT-Transistor-Arrays
BCR35PNE6433HTMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet 2649
BCR35PNE6433HTMA1 Infineon Technologies BJT-Transistor-Arrays

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