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BCR555E6327HTSA1
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BCR555E6327HTSA1 Technische Spezifikationen
Trans Digital BJT PNP 50V 500mA 3-Pin SOT-23 T/R
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiter / Vorbelastete BJT-Transistoren |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 26 Weeks |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e3 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Min Operating Temperature | -65°C |
HTS Code | 8541.21.00.75 |
Max Power Dissipation | 330mW |
Terminal Form | GULL WING |
Base Part Number | BCR555 |
Polarity | PNP |
Transistor Application | SWITCHING |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Max Collector Current | 500mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA ICBO |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 50V |
Max Breakdown Voltage | 50V |
hFE Min | 70 |
Resistor - Emitter Base (R2) | 10 k Ω |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Contact Plating | Tin |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 3 |
Published | 2011 |
Part Status | Not For New Designs |
Number of Terminations | 3 |
Max Operating Temperature | 150°C |
Additional Feature | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO 0.22 |
Voltage - Rated DC | -50V |
Terminal Position | DUAL |
Current Rating | -500mA |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Halogen Free | Not Halogen Free |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 300mV |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 50mA 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
Transition Frequency | 150MHz |
Frequency - Transition | 150MHz |
Resistor - Base (R1) | 2.2 k Ω |
Radiation Hardening | No |
Lead Free | Lead Free |
BCR555E6327HTSA1 Unterlagen
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Datenblätter
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Die folgenden Teile umfassen 'BCR55'
Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
BCR553 | INFINEON | Spezialisierte heiße ICs | 3000 |
BCR553 E6327 | lnfineo | Spezialisierte heiße ICs | 36255 |
BCR553 E6327 MOS | International Rectifier (Infineon Technologies) | Spezialisierte heiße ICs | 36222 |
BCR553E6327 | lnfineon | Spezialisierte heiße ICs | 2737 |
BCR553E6327HTSA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet | 2700 |
BCR553E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Vorbelastete BJT-Transistoren | |
BCR555 | INF | Spezialisierte heiße ICs | 2446 |
BCR555 E6327 | INFINEO | Spezialisierte heiße ICs | 19937 |
BCR555 E6433 | INFINEO | Spezialisierte heiße ICs | 1302 |
BCR555E6327 | INFINEO | Spezialisierte heiße ICs | 19475 |
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