BFP 620F E7764 Technische Spezifikationen

RF TRANS NPN 2.8V 65GHZ 4TSFP

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / RF-BJT-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2010
Part Status Obsolete
Number of Terminations 4
Terminal Finish MATTE TIN
Terminal Position DUAL
Reach Compliance Code compliant
Base Part Number BFP620
JESD-30 Code R-PDSO-F4
Number of Elements 1
Power - Max 185mW
Transistor Type NPN
Gain 21dB
Current - Collector (Ic) (Max) 80mA
Frequency - Transition 65GHz
Collector-Base Capacitance-Max 0.2pF
RoHS Status RoHS Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case 4-SMD, Flat Leads
Transistor Element Material SILICON GERMANIUM
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature LOW NOISE, HIGH RELIABILITY
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 40
Pin Count 4
Qualification Status Not Qualified
Configuration SINGLE
Polarity/Channel Type NPN
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 110 @ 50mA 1.5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 2.8V
Transition Frequency 65000MHz
Highest Frequency Band C B
Noise Figure (dB Typ @ f) 0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
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BFP 620F E7764 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - Bipolar (BJT) - HF 2511
BFP 640 H6433 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - Bipolar (BJT) - HF 2781
BFP 640 H6433 Infineon Technologies RF-BJT-Transistoren
BFP 640FESD E6327 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - Bipolar (BJT) - HF 2634
BFP 640FESD E6327 Infineon Technologies RF-BJT-Transistoren
BFP 650F E6327 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - Bipolar (BJT) - HF 2625
BFP 650F E6327 Infineon Technologies RF-BJT-Transistoren

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