BFP 720F E6327 Technische Spezifikationen

RF TRANS NPN 4.7V 45GHZ 4TSFP

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / RF-BJT-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2010
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Subcategory BIP RF Small Signal
Number of Elements 1
Polarity/Channel Type NPN
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 160 @ 13mA 3V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 4.7V
Frequency - Transition 45GHz
Noise Figure (dB Typ @ f) 0.4dB ~ 1dB @ 150MHz ~ 10GHz
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case 4-SMD, Flat Leads
Transistor Element Material SILICON GERMANIUM
Packaging Tape & Reel (TR)
Part Status Obsolete
ECCN Code EAR99
Base Part Number BFP720
Power - Max 100mW
Transistor Type NPN
Gain 10.5dB ~ 28dB
Current - Collector (Ic) (Max) 25mA
Power Dissipation-Max (Abs) 0.08W
RoHS Status RoHS Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
BFP 720F E6327 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - Bipolar (BJT) - HF 2652
BFP 720FESD E6327 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - Bipolar (BJT) - HF 2573
BFP 720FESD E6327 Infineon Technologies RF-BJT-Transistoren
BFP 740F E6327 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - Bipolar (BJT) - HF 2535
BFP 740F E6327 Infineon Technologies RF-BJT-Transistoren
BFP 740FESD E6327 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - Bipolar (BJT) - HF 2521
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