BFP193WH6327XTSA1 Technische Spezifikationen

Trans GP BJT NPN 12V 0.08A 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / RF-BJT-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 4 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case SC-82A, SOT-343
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Termination SMD/SMT
Max Power Dissipation 580mW
Terminal Form GULL WING
Base Part Number BFP193
Number of Elements 1
Test Frequency 900MHz
Transistor Application AMPLIFIER
Polarity/Channel Type NPN
Collector Emitter Voltage (VCEO) 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 30mA 8V
Gain 13.5dB ~ 20.5dB
Transition Frequency 8000MHz
Collector Base Voltage (VCBO) 20V
hFE Min 50
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Contact Plating Tin
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 4
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2014
Part Status Active
Number of Terminations 3
ECCN Code EAR99
Terminal Position DUAL
Frequency 8GHz
JESD-30 Code R-PDSO-G3
Configuration SINGLE
Power Dissipation 580mW
Halogen Free Halogen Free
Transistor Type NPN
Max Collector Current 50mA
Collector Emitter Breakdown Voltage 12V
Current - Collector (Ic) (Max) 80mA
Max Breakdown Voltage 12V
Emitter Base Voltage (VEBO) 2V
Noise Figure (dB Typ @ f) 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
REACH SVHC Unknown
Lead Free Lead Free
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