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BFP640FE6327 Technische Spezifikationen

TRANSISTOR NPN RF 4V TSFP-4

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / RF-BJT-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 4-SMD, Flat Leads
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2005
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Max Power Dissipation 200mW
Frequency 40GHz
Transistor Type NPN
Max Collector Current 50mA
Collector Emitter Breakdown Voltage 4.5V
Max Breakdown Voltage 4.5V
Emitter Base Voltage (VEBO) 1.2V
Noise Figure (dB Typ @ f) 0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
Length 1.4mm
RoHS Status RoHS Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 4
Packaging Tape & Reel (TR)
Part Status Obsolete
Voltage - Rated DC 4V
Current Rating 50mA
Base Part Number BFP640
Collector Emitter Voltage (VCEO) 4V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 110 @ 30mA 3V
Gain 23dB
Collector Base Voltage (VCBO) 13V
Continuous Collector Current 50mA
Height 550μm
Width 800μm
Lead Free Lead Free
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BFP640 INFINEO Spezialisierte heiße ICs 23673
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BFP640FE6327 Markenhersteller: Infineon Technologies, Bonchip Aktie, BFP640FE6327 Referenzpreis. BFP640FE6327 Parameter, BFP640FE6327 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden BFP640FE6327 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden BFP640FE6327 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, BFP640FE6327 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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