BFP650E6327HTSA1 Technische Spezifikationen

TRANSISTOR RF NPN 4.5V SOT-343

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / RF-BJT-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case SC-82A, SOT-343
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2011
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Additional Feature HIGH RELIABILITY, LOW NOISE
Terminal Position DUAL
Base Part Number BFP650
Number of Elements 1
Case Connection EMITTER
Transistor Application AMPLIFIER
Transistor Type NPN
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 110 @ 80mA 3V
Gain 10.5dB ~ 21.5dB
Max Breakdown Voltage 4.5V
Highest Frequency Band C B
Noise Figure (dB Typ @ f) 0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Transistor Element Material SILICON GERMANIUM
Packaging Tape & Reel (TR)
Part Status Obsolete
Number of Terminations 4
Max Power Dissipation 500mW
Terminal Form GULL WING
JESD-30 Code R-PDSO-G4
Configuration SINGLE
Power - Max 500mW
Polarity/Channel Type NPN
Max Collector Current 150mA
Collector Emitter Breakdown Voltage 4.5V
Transition Frequency 37000MHz
Frequency - Transition 37GHz
Collector-Base Capacitance-Max 0.4pF
RoHS Status RoHS Compliant
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BFP650 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - Bipolar (BJT) - HF 54406
BFP650 Infineon Technologies RF-BJT-Transistoren
BFP650 E6327 International Rectifier (Infineon Technologies) Spezialisierte heiße ICs 1687
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BFP650E6327HTSA1 Markenhersteller: Infineon Technologies, Bonchip Aktie, BFP650E6327HTSA1 Referenzpreis. BFP650E6327HTSA1 Parameter, BFP650E6327HTSA1 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden BFP650E6327HTSA1 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden BFP650E6327HTSA1 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, BFP650E6327HTSA1 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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