BFS17PE6752HTSA1 Technische Spezifikationen

RF TRANS NPN SOT23-3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / RF-BJT-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C TJ
Part Status Last Time Buy
Power - Max 280mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 40 @ 2mA 1V
Current - Collector (Ic) (Max) 25mA
Noise Figure (dB Typ @ f) 3.5dB @ 800MHz
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging Tape & Reel (TR)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Transistor Type NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 15V
Frequency - Transition 1.4GHz
RoHS Status ROHS3 Compliant
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BFS17 NXP Spezialisierte heiße ICs 5283
BFS17 /APN MSV Spezialisierte heiße ICs 2345
BFS17 IC NXP Semiconductors / Freescale Spezialisierte heiße ICs 30374
BFS17 T116 ROHM Spezialisierte heiße ICs 5717
BFS17 TR PHILIPS Spezialisierte heiße ICs 1367
BFS17,215 NXP Semiconductors / Freescale Transistoren - Bipolar (BJT) - HF 2705
BFS17,215 NXP USA Inc. RF-BJT-Transistoren
BFS17,235 NXP Semiconductors / Freescale Transistoren - Bipolar (BJT) - HF 2625
BFS17,235 NXP USA Inc. RF-BJT-Transistoren
BFS17A VISHAY Spezialisierte heiße ICs 1277

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