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BFT92E6327 Technische Spezifikationen

Trans RF BJT PNP 15V 0.045A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / RF-BJT-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging Tape & Reel (TR)
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
Max Operating Temperature 150°C
Subcategory Other Transistors
Max Power Dissipation 200mW
Terminal Form GULL WING
Current Rating -25mA
Base Part Number BFT92
Number of Elements 1
Power Dissipation 200mW
Polarity/Channel Type PNP
Collector Emitter Voltage (VCEO) 15V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 15 @ 15mA 8V
Gain 8dB ~ 13.5dB
Max Breakdown Voltage 15V
Emitter Base Voltage (VEBO) 2V
Noise Figure (dB Typ @ f) 2dB ~ 3.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Published 2001
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Min Operating Temperature -65°C
Voltage - Rated DC -15V
Terminal Position DUAL
Reach Compliance Code unknown
Frequency 5GHz
Qualification Status Not Qualified
Configuration SINGLE
Transistor Application AMPLIFIER
Transistor Type PNP
Max Collector Current 25mA
Collector Emitter Breakdown Voltage 15V
Transition Frequency 5000MHz
Collector Base Voltage (VCBO) 20V
Collector-Base Capacitance-Max 0.8pF
RoHS Status RoHS Compliant
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