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BSC016N04LSGATMA1 Technische Spezifikationen

Trans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2011
JESD-609 Code e3
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 5
Terminal Finish Tin (Sn)
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PDSO-F5
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 2.5W Ta 139W Tc
Case Connection DRAIN
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 85μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 31A Ta 100A Tc
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Vgs (Max) ±20V
Drain-source On Resistance-Max 0.0023Ohm
DS Breakdown Voltage-Min 40V
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case 8-PowerTDFN
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series OptiMOS™
Pbfree Code no
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form FLAT
Reach Compliance Code not_compliant
Pin Count 8
Qualification Status Not Qualified
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.6m Ω @ 50A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 12000pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 150nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 100A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 400A
Avalanche Energy Rating (Eas) 295 mJ
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
BSC010N04LS International Rectifier (Infineon Technologies) Spezialisierte heiße ICs 5439
BSC010N04LS MOS International Rectifier (Infineon Technologies) Spezialisierte heiße ICs 529
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