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BSC018NE2LSATMA1
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BSC018NE2LSATMA1 Technische Spezifikationen
MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 26 Weeks |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | 8-PowerTDFN |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | OptiMOS™ |
Pbfree Code | no |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Terminal Position | DUAL |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
JESD-30 Code | R-PDSO-F5 |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 2.5W Ta 69W Tc |
Power Dissipation | 69W |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8m Ω @ 30A, 10V |
Halogen Free | Halogen Free |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 29A Ta 100A Tc |
Rise Time | 4.4ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Drain-source On Resistance-Max | 0.0023Ohm |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Contact Plating | Tin |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 8 |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2013 |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 5 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Terminal Form | FLAT |
Reach Compliance Code | not_compliant |
Pin Count | 8 |
Qualification Status | Not Qualified |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250μA |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2800pF @ 12V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 39nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 4.5V 10V |
Continuous Drain Current (ID) | 29A |
Max Dual Supply Voltage | 25V |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 400A |
Lead Free | Contains Lead |
BSC018NE2LSATMA1 Unterlagen
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Datenblätter
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Die folgenden Teile umfassen 'BSC01'
Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
BSC010N04LS | International Rectifier (Infineon Technologies) | Spezialisierte heiße ICs | 5439 |
BSC010N04LS MOS | International Rectifier (Infineon Technologies) | Spezialisierte heiße ICs | 529 |
BSC010N04LS6 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Spezialisierte heiße ICs | 23941 |
BSC010N04LS6ATMA1 | INFINE0N | Spezialisierte heiße ICs | 8533 |
BSC010N04LSATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 2717 |
BSC010N04LSATMA1 | Infineon Technologies | Einzelne MOSFET-Transistoren | |
BSC010N04LSATMA1 MOS | International Rectifier (Infineon Technologies) | Spezialisierte heiße ICs | 1702 |
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BSC018NE2LSATMA1 Markenhersteller: Infineon Technologies, Bonchip Aktie, BSC018NE2LSATMA1 Referenzpreis. BSC018NE2LSATMA1 Parameter, BSC018NE2LSATMA1 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden BSC018NE2LSATMA1 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden BSC018NE2LSATMA1 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, BSC018NE2LSATMA1 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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