BSC018NE2LSIATMA1 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 25V 29A TDSON-8

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 26 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2013
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 5
Terminal Finish Tin (Sn)
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PDSO-F5
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 2.5W Ta 69W Tc
Power Dissipation 2.5W
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.8m Ω @ 30A, 10V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 29A Ta 100A Tc
Rise Time 4.8ns
Vgs (Max) ±20V
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain-source On Resistance-Max 0.0024Ohm
Avalanche Energy Rating (Eas) 45 mJ
Lead Free Contains Lead
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case 8-PowerTDFN
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series OptiMOS™
Pbfree Code no
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form FLAT
Reach Compliance Code not_compliant
Pin Count 8
Qualification Status Not Qualified
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2500pF @ 12V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Continuous Drain Current (ID) 29A
Max Dual Supply Voltage 25V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 400A
RoHS Status ROHS3 Compliant
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