BSC019N02KSGAUMA1 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 20V 100A TDSON-8

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 39 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2011
JESD-609 Code e3
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 5
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form FLAT
Reach Compliance Code not_compliant
Pin Count 8
Qualification Status Not Qualified
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.95m Ω @ 50A, 4.5V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 30A Ta 100A Tc
Rise Time 187ns
Vgs (Max) ±12V
Turn-Off Delay Time 95 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 12V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 30A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 200A
Lead Free Contains Lead
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case 8-PowerTDFN
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series OptiMOS™
Pbfree Code no
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature AVALANCHE RATED
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PDSO-F5
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 2.8W Ta 104W Tc
Power Dissipation 104W
Turn On Delay Time 15 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 1.2V @ 350μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 13000pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 85nC @ 4.5V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 2.5V 4.5V
Fall Time (Typ) 8 ns
Continuous Drain Current (ID) 100A
Max Dual Supply Voltage 20V
Drain-source On Resistance-Max 0.003Ohm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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