BSC079N03SG Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 30V 40A TDSON-8

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 8-PowerTDFN
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series OptiMOS™
Part Status Obsolete
Number of Terminations 5
Terminal Finish MATTE TIN
Subcategory FET General Purpose Power
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form FLAT
Current Rating 40A
Pin Count 8
Qualification Status Not Qualified
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 30μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 14.6A Ta 40A Tc
Rise Time 4.2ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 21 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain-source On Resistance-Max 0.0116Ohm
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 160A
RoHS Status RoHS Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2005
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
Voltage - Rated DC 30V
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PDSO-F5
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 2.8W Ta 60W Tc
Power Dissipation 2.8W
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.9m Ω @ 40A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2230pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 5V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 3.4 ns
Continuous Drain Current (ID) 40A
Drain Current-Max (Abs) (ID) 14.6A
Drain to Source Breakdown Voltage 30V
Avalanche Energy Rating (Eas) 120 mJ
Lead Free Lead Free
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