BSC080P03LSGAUMA1 Technische Spezifikationen

Trans MOSFET P-CH 30V 16A 8-Pin TDSON

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 16 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 8-PowerVDFN
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series OptiMOS™
Pbfree Code no
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
ECCN Code EAR99
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form FLAT
Reach Compliance Code not_compliant
Pin Count 8
Qualification Status Not Qualified
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6140pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 122.4nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Vgs (Max) ±25V
Gate to Source Voltage (Vgs) 25V
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Contact Plating Tin
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2010
JESD-609 Code e3
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 5
Additional Feature AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PDSO-F5
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 2.5W Ta 89W Tc
Power Dissipation 2.5W
FET Type P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8m Ω @ 30A, 10V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 16A Ta 30A Tc
Rise Time 87ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Continuous Drain Current (ID) 16A
Max Dual Supply Voltage -30V
Lead Free Contains Lead
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