BSD314SPEH6327XTSA1 Technische Spezifikationen

Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 10 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2013
JESD-609 Code e3
Part Status Active
ECCN Code EAR99
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Power Dissipation-Max 500mW Ta
Turn On Delay Time 5.1 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 140m Ω @ 1.5A, 10V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.5A Ta
Rise Time 3.9ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Turn-Off Delay Time 12.4 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Height 800μm
Width 1.25mm
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Contact Plating Tin
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 6
Packaging Tape & Reel (TR)
Series OptiMOS™
Pbfree Code no
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Element Configuration Single
FET Type P-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 6.3μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 294pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.9nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Vgs (Max) ±20V
Continuous Drain Current (ID) 1.5A
Max Dual Supply Voltage -30V
Length 2mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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BSD314SPE H6327 INFINEON Spezialisierte heiße ICs 12154
BSD314SPE MOS VBSEMI Spezialisierte heiße ICs 19191
BSD314SPEH6327 Son Spezialisierte heiße ICs 2769
BSD314SPEH6327XTSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2771
BSD314SPEL6327HTSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2598
BSD316SN I Spezialisierte heiße ICs 17585
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