BSF134N10NJ3GXUMA1 Technische Spezifikationen

N-KANAL POWER MOS

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 26 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 3-WDSON
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series OptiMOS™
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
ECCN Code EAR99
Terminal Position BOTTOM
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Pin Count 2
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 2.2W Ta 43W Tc
Power Dissipation 2.2W
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.4m Ω @ 30A, 10V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A Ta 40A Tc
Rise Time 6ns
Vgs (Max) ±20V
Threshold Voltage 2.7V
Max Dual Supply Voltage 100V
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Contact Plating Silver
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 7
Operating Temperature -40°C~150°C TJ
Published 2011
JESD-609 Code e4
Part Status Active
Number of Terminations 2
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form NO LEAD
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-MBCC-N2
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 40μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2300pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 6V 10V
Continuous Drain Current (ID) 9A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 9A
RoHS Status ROHS3 Compliant
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