BSL207SPH6327XTSA1 Technische Spezifikationen

MOSFET P-CH 20V 6A 6TSOP

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 10 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series OptiMOS™
Part Status Active
Number of Terminations 6
Additional Feature AVALANCHE RATED
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
Current Rating -6A
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 2W
FET Type P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 41m Ω @ 6A, 4.5V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A Ta
Rise Time 17ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 2.5V 4.5V
Turn-Off Delay Time 42 ns
Threshold Voltage -900mV
Max Dual Supply Voltage -20V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 24A
Height 1mm
Width 1.6mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Contact Plating Tin
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 6
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2001
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Voltage - Rated DC -20V
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Power Dissipation-Max 2W Ta
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 9 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 1.2V @ 40μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1007pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Vgs (Max) ±12V
Continuous Drain Current (ID) 6A
Gate to Source Voltage (Vgs) 12V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 6A
Avalanche Energy Rating (Eas) 44 mJ
Length 2.9mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Contains Lead
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