BSM100GB60DLCHOSA1 Technische Spezifikationen

IGBT MOD 600V 130A 445W

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / IGBT-Module
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Chassis Mount
Surface Mount NO
Operating Temperature -40°C~125°C
Pbfree Code no
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Form UNSPECIFIED
Pin Count 7
Number of Elements 2
Case Connection ISOLATED
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Current - Collector Cutoff (Max) 500μA
Current - Collector (Ic) (Max) 130A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.45V @ 15V, 100A
NTC Thermistor No
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case Module
Transistor Element Material SILICON
Published 2000
Part Status Last Time Buy
Number of Terminations 7
Terminal Position UPPER
Reach Compliance Code compliant
JESD-30 Code R-XUFM-X7
Configuration Single
Power - Max 445W
Input Standard
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Turn On Time 37 ns
Turn Off Time-Nom (toff) 180 ns
RoHS Status RoHS Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
BSM100D12PIC003 ROHM IGBT-Module 2618
BSM100GA120DN11 EUPEC IGBT-Module 2702
BSM100GA120DN2 EUPEC IGBT-Module 2676
BSM100GAL100D EUPEC IGBT-Module 2785
BSM100GAL120D EUPEC IGBT-Module 2817
BSM100GAL120DLC EUPEC IGBT-Module 2563
BSM100GAL120DLCK Infineon IGBT-Module 2730
BSM100GAL120DLCKHOSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - IGBTs - Module 0
BSM100GAL120DLCKHOSA1 Infineon Technologies IGBT-Module
BSM100GAL120DN2 EUPEC IGBT-Module 2800

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