BSM100GD120DN2BOSA1 Technische Spezifikationen

IGBT 2 LOW POWER ECONO3-1

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / IGBT-Module
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Chassis Mount
Surface Mount NO
Operating Temperature 150°C TJ
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Form THROUGH-HOLE
JESD-30 Code R-XUFM-T39
Configuration Three Phase Inverter
Power - Max 680W
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Current - Collector Cutoff (Max) 2mA
Current - Collector (Ic) (Max) 150A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 100A
NTC Thermistor No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case Module
Transistor Element Material SILICON
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 39
Terminal Position UPPER
Pin Count 39
Number of Elements 6
Case Connection ISOLATED
Transistor Application POWER CONTROL
Input Standard
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Turn On Time 240 ns
Turn Off Time-Nom (toff) 470 ns
Input Capacitance (Cies) @ Vce 6.5nF @ 25V
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
BSM100D12PIC003 ROHM IGBT-Module 2618
BSM100GA120DN11 EUPEC IGBT-Module 2702
BSM100GA120DN2 EUPEC IGBT-Module 2676
BSM100GAL100D EUPEC IGBT-Module 2785
BSM100GAL120D EUPEC IGBT-Module 2817
BSM100GAL120DLC EUPEC IGBT-Module 2563
BSM100GAL120DLCK Infineon IGBT-Module 2730
BSM100GAL120DLCKHOSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - IGBTs - Module 0
BSM100GAL120DLCKHOSA1 Infineon Technologies IGBT-Module
BSM100GAL120DN2 EUPEC IGBT-Module 2800

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