BSM25GP120BOSA1 Technische Spezifikationen

IGBT 2 LOW POWER ECONO2-5

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / IGBT-Module
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 26 Weeks
Package / Case Module
Transistor Element Material SILICON
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Position UPPER
Pin Count 24
Qualification Status Not Qualified
Configuration Full Bridge
Power - Max 230W
Input Three Phase Bridge Rectifier
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Turn On Time 90 ns
Turn Off Time-Nom (toff) 420 ns
Input Capacitance (Cies) @ Vce 1.5nF @ 25V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Chassis Mount
Surface Mount NO
Operating Temperature -40°C~125°C
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 24
Terminal Finish MATTE TIN
Terminal Form UNSPECIFIED
JESD-30 Code R-XUFM-X24
Number of Elements 7
Case Connection ISOLATED
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Current - Collector Cutoff (Max) 20A
Current - Collector (Ic) (Max) 45A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.55V @ 15V, 25A
NTC Thermistor Yes
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
BSM25/35GD120 EUPEC IGBT-Module 2756
BSM250D17P2E004 ROHM Semiconductor MOSFETs Transistor Arrays
BSM254F SIEMENS Spezialisierte heiße ICs 1406
BSM25GAL100D IGBT Module IGBT-Module 2995
BSM25GAL120D SIEMENS IGBT-Module 2958
BSM25GAL120DN2 EUPEC IGBT-Module 2804
BSM25GB100D SIEMNES IGBT-Module 2749
BSM25GB100DN1 SIEMENS IGBT-Module 2933
BSM25GB120D IGBT Module IGBT-Module 2817
BSM25GB120DN2 EUPEC IGBT-Module 1387

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