BSM50GB60DLCHOSA1 Technische Spezifikationen

IGBT MODULE 600V 75A 280W

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / IGBT-Module
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 14 Weeks
Mounting Type Chassis Mount
Number of Pins 34
Operating Temperature -40°C~125°C
Part Status Last Time Buy
Number of Terminations 7
Max Power Dissipation 280W
Terminal Form UNSPECIFIED
JESD-30 Code R-XUFM-X7
Configuration Single
Case Connection ISOLATED
Halogen Free Not Halogen Free
Input Standard
Max Collector Current 75A
Collector Emitter Breakdown Voltage 600V
Turn On Time 52 ns
Turn Off Time-Nom (toff) 151 ns
Input Capacitance (Cies) @ Vce 2.2nF @ 25V
Length 94mm
RoHS Status RoHS Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Screw
Package / Case Module
Transistor Element Material SILICON
Pbfree Code no
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Position UPPER
Pin Count 7
Number of Elements 2
Element Configuration Dual
Power - Max 280W
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Collector Emitter Voltage (VCEO) 600V
Current - Collector Cutoff (Max) 500μA
Collector Emitter Saturation Voltage 2.2V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.45V @ 15V, 50A
NTC Thermistor No
Height 30.5mm
Width 34mm
Lead Free Lead Free
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