BSM50GD120DLCBOSA1 Technische Spezifikationen

IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / IGBT-Module
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Chassis Mount
Surface Mount NO
Operating Temperature -40°C~125°C
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Form UNSPECIFIED
JESD-30 Code R-XUFM-X17
Configuration Three Phase Inverter
Power - Max 350W
Input Standard
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Turn On Time 110 ns
Turn Off Time-Nom (toff) 370 ns
Input Capacitance (Cies) @ Vce 3.3nF @ 25V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case Module
Transistor Element Material SILICON
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 17
Terminal Position UPPER
Pin Count 17
Number of Elements 6
Case Connection ISOLATED
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Current - Collector Cutoff (Max) 84μA
Current - Collector (Ic) (Max) 85A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 50A
NTC Thermistor No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
BSM500GA120DN2 EUPEC IGBT-Module 2799
BSM500GA124D EUPEC IGBT-Module 2645
BSM50GAL100D SIEMENS IGBT-Module 2848
BSM50GAL120D IGBT IGBT-Module 2766
BSM50GAL120DN2 IGBT Module IGBT-Module 2887
BSM50GAL120DN2HOSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - IGBTs - Module 2544
BSM50GAL120DN2HOSA1 Infineon Technologies IGBT-Module
BSM50GAL124D EUPEC Spezialisierte heiße ICs 2836
BSM50GAL60DLC EUPEC IGBT-Module 2510
BSM50GAR120DN2 EUPEC IGBT-Module 2821

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