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BSM50GD120DN2E3226BOSA1 Technische Spezifikationen

IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / IGBT-Module
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Chassis Mount
Operating Temperature 150°C TJ
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Power - Max 350W
Current - Collector Cutoff (Max) 1mA
Current - Collector (Ic) (Max) 50A
NTC Thermistor No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case Module
Part Status Not For New Designs
Configuration Three Phase Inverter
Input Standard
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 50A
Input Capacitance (Cies) @ Vce 3.3nF @ 25V
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
BSM500GA120DN2 EUPEC IGBT-Module 2799
BSM500GA124D EUPEC IGBT-Module 2645
BSM50GAL100D SIEMENS IGBT-Module 2848
BSM50GAL120D IGBT IGBT-Module 2766
BSM50GAL120DN2 IGBT Module IGBT-Module 2887
BSM50GAL120DN2HOSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - IGBTs - Module 2544
BSM50GAL120DN2HOSA1 Infineon Technologies IGBT-Module
BSM50GAL124D EUPEC Spezialisierte heiße ICs 2836
BSM50GAL60DLC EUPEC IGBT-Module 2510
BSM50GAR120DN2 EUPEC IGBT-Module 2821

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BSM50GD120DN2E3226BOSA1 Markenhersteller: Infineon Technologies, Bonchip Aktie, BSM50GD120DN2E3226BOSA1 Referenzpreis. BSM50GD120DN2E3226BOSA1 Parameter, BSM50GD120DN2E3226BOSA1 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden BSM50GD120DN2E3226BOSA1 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden BSM50GD120DN2E3226BOSA1 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, BSM50GD120DN2E3226BOSA1 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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