BSM75GAL120DN2HOSA1 Technische Spezifikationen

IGBT MOD 1200V 105A 625W

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / IGBT-Module
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Chassis Mount
Surface Mount NO
Operating Temperature 150°C TJ
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 7
Terminal Position UPPER
Pin Count 7
Number of Elements 1
Case Connection ISOLATED
Transistor Application POWER CONTROL
Input Standard
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Turn On Time 100 ns
Turn Off Time-Nom (toff) 520 ns
Input Capacitance (Cies) @ Vce 5.5nF @ 25V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case Module
Transistor Element Material SILICON
Pbfree Code no
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Form UNSPECIFIED
JESD-30 Code R-XUFM-X7
Configuration Single Switch
Power - Max 625W
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Current - Collector Cutoff (Max) 1.4mA
Current - Collector (Ic) (Max) 105A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 75A
NTC Thermistor No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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