BSP315PH6327XTSA1 Technische Spezifikationen

BSP315PH6327XTSA1 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 10 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Transistor Element Material SILICON
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 1999
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 4
ECCN Code EAR99
Subcategory Other Transistors
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Pin Count 4
Number of Channels 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 1.8W
Turn On Delay Time 24 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 800m Ω @ 1.17A, 10V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.17A Ta
Rise Time 9ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 19 ns
Continuous Drain Current (ID) 1.17A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain-source On Resistance-Max 0.8Ohm
Dual Supply Voltage -60V
Max Junction Temperature (Tj) 150°C
Height 1.8mm
Width 6.7mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Contact Plating Tin
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 4
Manufacturer Package Identifier PG-SOT223-4
Packaging Cut Tape (CT)
Series SIPMOS®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Termination SMD/SMT
Additional Feature LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 40
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 1.8W Ta
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type P-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 160μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 160pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.8nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 32 ns
Threshold Voltage -1.5V
Max Dual Supply Voltage -60V
Drain to Source Breakdown Voltage -60V
Recovery Time 46 ns
Nominal Vgs -1.5 V
Length 6.5mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
BSP31 NXP Spezialisierte heiße ICs 46292
BSP31,115 Nexperia Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2667
BSP31,115 Nexperia USA Inc. Einzelne BJT-Transistoren
BSP312 SIEMENS Spezialisierte heiße ICs 14580
BSP315 Infineo Spezialisierte heiße ICs 45072
BSP315 E 6433 SIMENS Spezialisierte heiße ICs 70370
BSP315 E6433 SIEMENS Spezialisierte heiße ICs 4302
BSP315E-6327 SIEMENS Spezialisierte heiße ICs 3422
BSP315P INFINEO Spezialisierte heiße ICs 58109
BSP315P E6327 INFINEO Spezialisierte heiße ICs 2383

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