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BSP318SL6327HTSA1
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BSP318SL6327HTSA1 Technische Spezifikationen
Trans MOSFET N-CH 60V 2.6A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | SIPMOS® |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Additional Feature | AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
Terminal Position | DUAL |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 1.8W Ta |
Power Dissipation | 1.8W |
Turn On Delay Time | 12 ns |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90m Ω @ 2.6A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 380pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 20 ns |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 60 mJ |
RoHS Status | RoHS Compliant |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 4 |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 1999 |
Part Status | Obsolete |
Number of Terminations | 4 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Terminal Form | GULL WING |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 20μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.6A Ta |
Rise Time | 15ns |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 4.5V 10V |
Fall Time (Typ) | 15 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 2.6A |
DS Breakdown Voltage-Min | 60V |
Radiation Hardening | No |
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Datenblätter
Andere schließen ein "BSP31" Teile
Die folgenden Teile umfassen 'BSP31'
Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
BSP31 | NXP | Spezialisierte heiße ICs | 46292 |
BSP31,115 | Nexperia | Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel | 2667 |
BSP31,115 | Nexperia USA Inc. | Einzelne BJT-Transistoren | |
BSP312 | SIEMENS | Spezialisierte heiße ICs | 14580 |
BSP315 | Infineo | Spezialisierte heiße ICs | 45072 |
BSP315 E 6433 | SIMENS | Spezialisierte heiße ICs | 70370 |
BSP315 E6433 | SIEMENS | Spezialisierte heiße ICs | 4302 |
BSP315E-6327 | SIEMENS | Spezialisierte heiße ICs | 3422 |
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BSP318SL6327HTSA1 Markenhersteller: Infineon Technologies, Bonchip Aktie, BSP318SL6327HTSA1 Referenzpreis. BSP318SL6327HTSA1 Parameter, BSP318SL6327HTSA1 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden BSP318SL6327HTSA1 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden BSP318SL6327HTSA1 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, BSP318SL6327HTSA1 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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