BSS84PWH6327XTSA1 Technische Spezifikationen

BSS84PWH6327XTSA1 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 10 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case SC-70, SOT-323
Transistor Element Material SILICON
Packaging Cut Tape (CT)
Series SIPMOS®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Voltage - Rated DC -60V
Terminal Position DUAL
Current Rating -150mA
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 300mW Ta
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 6.7 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8 Ω @ 150mA, 10V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 150mA Ta
Rise Time 16.2ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 20.5 ns
Continuous Drain Current (ID) -150mA
Max Dual Supply Voltage -60V
Drain to Source Breakdown Voltage -60V
Height 1mm
Width 1.25mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Contact Plating Tin
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2000
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Additional Feature AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
Pin Count 3
Number of Channels 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 300mW
FET Type P-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 20μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 19.1pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.5nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 8.6 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain-source On Resistance-Max 8Ohm
Max Junction Temperature (Tj) 150°C
Length 2mm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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