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BSZ036NE2LSATMA1
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BSZ036NE2LSATMA1 Technische Spezifikationen
BSZ036NE2LSATMA1 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 18 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 8 |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2013 |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Terminal Form | NO LEAD |
Reach Compliance Code | not_compliant |
Pin Count | 8 |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 2.1W Ta 37W Tc |
Power Dissipation | 2.1W |
Turn On Delay Time | 3.3 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250μA |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1200pF @ 12V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 4.5V 10V |
Fall Time (Typ) | 2.2 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 16A |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 40 mJ |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | 8-PowerTDFN |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | OptiMOS™ |
Pbfree Code | no |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Additional Feature | LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ULTRA-LOW RESISTANCE |
Terminal Position | DUAL |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
JESD-30 Code | R-PDSO-N3 |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.6m Ω @ 20A, 10V |
Halogen Free | Halogen Free |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A Ta 40A Tc |
Rise Time | 2.8ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 15 ns |
Threshold Voltage | 2V |
Max Dual Supply Voltage | 25V |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Contains Lead |
BSZ036NE2LSATMA1 Unterlagen
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Datenblätter
Andere schließen ein "BSZ03" Teile
Die folgenden Teile umfassen 'BSZ03'
Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
BSZ031NE2LS5ATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 2717 |
BSZ031NE2LS5ATMA1 | Infineon Technologies | Einzelne MOSFET-Transistoren | |
BSZ033N03LSCG | INFINEO | Spezialisierte heiße ICs | 16409 |
BSZ033N03MSCG | INFINEO | Spezialisierte heiße ICs | 25000 |
BSZ033NE2LS5 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Spezialisierte heiße ICs | 4537 |
BSZ033NE2LS5ATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 2777 |
BSZ033NE2LS5ATMA1 | Infineon Technologies | Einzelne MOSFET-Transistoren | |
BSZ034N04LS | International Rectifier (Infineon Technologies) | Spezialisierte heiße ICs | 71621 |
BSZ034N04LSATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 2576 |
BSZ034N04LSATMA1 | Infineon Technologies | Einzelne MOSFET-Transistoren |
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BSZ036NE2LSATMA1 Markenhersteller: Infineon Technologies, Bonchip Aktie, BSZ036NE2LSATMA1 Referenzpreis. BSZ036NE2LSATMA1 Parameter, BSZ036NE2LSATMA1 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden BSZ036NE2LSATMA1 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden BSZ036NE2LSATMA1 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, BSZ036NE2LSATMA1 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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