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BSZ0902NSIATMA1 Technische Spezifikationen

Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TDSON

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 18 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 8-PowerTDFN
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series OptiMOS™
Pbfree Code no
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Position DUAL
JESD-30 Code S-PDSO-N3
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1500pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Continuous Drain Current (ID) 21A
Max Dual Supply Voltage 30V
Avalanche Energy Rating (Eas) 30 mJ
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Contact Plating Tin
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2011
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Pin Count 8
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 2.5W Ta 48W Tc
Power Dissipation 2.5W
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.8m Ω @ 30A, 10V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 21A Ta 40A Tc
Rise Time 5.4ns
Vgs (Max) ±20V
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain-source On Resistance-Max 0.0037Ohm
Radiation Hardening No
Lead Free Contains Lead
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BSZ0901NS International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 191209
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