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BSZ0909NDXTMA1
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BSZ0909NDXTMA1 Technische Spezifikationen
MOSFET 2 N-CH 30V 20A WISON-8
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiter / MOSFETs Transistor Arrays |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 4 Weeks |
Package / Case | 8-PowerVDFN |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | OptiMOS™ |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Additional Feature | AVALANCHE RATED |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
JESD-30 Code | S-PDSO-N8 |
Configuration | SERIES, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
Power - Max | 17W |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18m Ω @ 9A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 360pF @ 15V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.6nC @ 4.5V |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 4.1A |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 40A |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 4 mJ |
FET Feature | Logic Level Gate, 4.5V Drive |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2013 |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 8 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Terminal Form | NO LEAD |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Number of Elements | 2 |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A Tc |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Drain-source On Resistance-Max | 0.025Ohm |
DS Breakdown Voltage-Min | 30V |
FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
BSZ0909NDXTMA1 Unterlagen
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Datenblätter
Andere schließen ein "BSZ09" Teile
Die folgenden Teile umfassen 'BSZ09'
Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
BSZ0901NS | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 191209 |
BSZ0901NS IC | International Rectifier (Infineon Technologies) | Spezialisierte heiße ICs | 10432 |
BSZ0901NSATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 2723 |
BSZ0901NSATMA1 | Infineon Technologies | Einzelne MOSFET-Transistoren | |
BSZ0901NSI | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 37322 |
BSZ0901NSI BSZ0901NS | International Rectifier (Infineon Technologies) | Spezialisierte heiße ICs | 2000 |
BSZ0901NSI BSZ0901NS MOS | International Rectifier (Infineon Technologies) | Spezialisierte heiße ICs | 2330 |
BSZ0901NSIATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 2677 |
BSZ0901NSIATMA1 | Infineon Technologies | Einzelne MOSFET-Transistoren | |
BSZ0902NS | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 37161 |
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BSZ0909NDXTMA1 Markenhersteller: Infineon Technologies, Bonchip Aktie, BSZ0909NDXTMA1 Referenzpreis. BSZ0909NDXTMA1 Parameter, BSZ0909NDXTMA1 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden BSZ0909NDXTMA1 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden BSZ0909NDXTMA1 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, BSZ0909NDXTMA1 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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