BSZ0909NDXTMA1 Technische Spezifikationen

MOSFET 2 N-CH 30V 20A WISON-8

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / MOSFETs Transistor Arrays
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 4 Weeks
Package / Case 8-PowerVDFN
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series OptiMOS™
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature AVALANCHE RATED
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code S-PDSO-N8
Configuration SERIES, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
Power - Max 17W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18m Ω @ 9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 360pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.6nC @ 4.5V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 4.1A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 40A
Avalanche Energy Rating (Eas) 4 mJ
FET Feature Logic Level Gate, 4.5V Drive
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2013
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 8
Terminal Finish Tin (Sn)
Terminal Form NO LEAD
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A Tc
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Drain-source On Resistance-Max 0.025Ohm
DS Breakdown Voltage-Min 30V
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
RoHS Status ROHS3 Compliant
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