BSZ110N06NS3GATMA1 Technische Spezifikationen

BSZ110N06NS3GATMA1 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 18 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2011
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 5
Terminal Finish Tin (Sn)
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code S-PDSO-N5
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 2.1W Ta 50W Tc
Power Dissipation 2.1W
Turn On Delay Time 10 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 23μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2700pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 6 ns
Continuous Drain Current (ID) 20A
Max Dual Supply Voltage 60V
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case 8-PowerVDFN
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series OptiMOS™
Pbfree Code no
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form NO LEAD
Reach Compliance Code not_compliant
Pin Count 8
Qualification Status Not Qualified
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11m Ω @ 20A, 10V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A Tc
Rise Time 77ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 14 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Avalanche Energy Rating (Eas) 55 mJ
Lead Free Contains Lead
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