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BSZ180P03NS3GATMA1 Technische Spezifikationen

Trans MOSFET P-CH 30V 39.6A Automotive 8-Pin TSDSON EP

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 18 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2011
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 5
Terminal Finish Tin (Sn)
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code S-PDSO-F5
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 2.1W Ta 40W Tc
Power Dissipation 40W
FET Type P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18m Ω @ 20A, 10V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A Ta 39.6A Tc
Rise Time 11ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 6V 10V
Continuous Drain Current (ID) 39.6A
Max Dual Supply Voltage -30V
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case 8-PowerTDFN
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series OptiMOS™
Pbfree Code no
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form FLAT
Reach Compliance Code not_compliant
Pin Count 8
Qualification Status Not Qualified
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3.1V @ 48μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2220pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Vgs (Max) ±25V
Gate to Source Voltage (Vgs) 25V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 9A
Lead Free Contains Lead
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
BSZ180P03NS3 G Infineo Spezialisierte heiße ICs 19271
BSZ180P03NS3E G Infineo Spezialisierte heiße ICs 15863
BSZ180P03NS3EG INFINEO Spezialisierte heiße ICs 5600
BSZ180P03NS3EGATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2623
BSZ180P03NS3EGATMA1 Infineon Technologies Einzelne MOSFET-Transistoren
BSZ180P03NS3G International Rectifier (Infineon Technologies) Spezialisierte heiße ICs 588
BSZ180P03NS3GATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2631

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BSZ180P03NS3GATMA1 Markenhersteller: Infineon Technologies, Bonchip Aktie, BSZ180P03NS3GATMA1 Referenzpreis. BSZ180P03NS3GATMA1 Parameter, BSZ180P03NS3GATMA1 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden BSZ180P03NS3GATMA1 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden BSZ180P03NS3GATMA1 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, BSZ180P03NS3GATMA1 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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