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BUZ31HXKSA1 Technische Spezifikationen
Trans MOSFET N-CH 200V 14.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Mount | Through Hole |
Package / Case | TO-220-3 |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2005 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Pin Count | 3 |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 95W Tc |
Power Dissipation | 95W |
FET Type | N-Channel |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 14.5A Tc |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 150 ns |
JEDEC-95 Code | TO-220AB |
Drain-source On Resistance-Max | 0.2Ohm |
DS Breakdown Voltage-Min | 200V |
Radiation Hardening | No |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Through Hole |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tube |
Series | SIPMOS® |
Part Status | Obsolete |
Number of Terminations | 3 |
Additional Feature | AVALANCHE RATED |
Terminal Position | SINGLE |
JESD-30 Code | R-PSFM-T3 |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Turn On Delay Time | 12 ns |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200m Ω @ 9A, 5V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1120pF @ 25V |
Rise Time | 50ns |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 5V |
Fall Time (Typ) | 60 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 14.5A |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 58A |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 200 mJ |
RoHS Status | RoHS Compliant |
BUZ31HXKSA1 Unterlagen
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Datenblätter
Andere schließen ein "BUZ31" Teile
Die folgenden Teile umfassen 'BUZ31'
Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
BUZ31 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 22372 |
BUZ31 E3045A | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 19295 |
BUZ31 E3046 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 2530 |
BUZ31 H | I | Spezialisierte heiße ICs | 21535 |
BUZ31 H MOS | VBSEMI | Spezialisierte heiße ICs | 3290 |
BUZ31 H3045A | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 42363 |
BUZ31 L3045A | INFINEO | Spezialisierte heiße ICs | 5500 |
BUZ31 MOS | International Rectifier (Infineon Technologies) | Spezialisierte heiße ICs | 1991 |
BUZ310 | ST | Spezialisierte heiße ICs | 511 |
BUZ311 | Original | Spezialisierte heiße ICs | 40306 |
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BUZ31HXKSA1 Markenhersteller: Infineon Technologies, Bonchip Aktie, BUZ31HXKSA1 Referenzpreis. BUZ31HXKSA1 Parameter, BUZ31HXKSA1 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden BUZ31HXKSA1 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden BUZ31HXKSA1 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, BUZ31HXKSA1 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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