BYM300B170DN2HOSA1 Technische Spezifikationen

MOD IGBT MED POWER 62MM-1

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / IGBT-Module
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Screw
Package / Case Module
Diode Element Material SILICON
Published 2002
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 3
HTS Code 8541.10.00.80
Terminal Form UNSPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Qualification Status Not Qualified
Configuration 2 Independent
Diode Type RECTIFIER DIODE
Power - Max 20mW
Halogen Free Not Halogen Free
Collector Emitter Voltage (VCEO) 1.7kV
Max Collector Current 300A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.55V @ 15V, 25A
NTC Thermistor Yes
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Chassis Mount
Number of Pins 3
Operating Temperature -40°C~150°C TJ
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Position UPPER
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Pin Count 3
Number of Elements 2
Element Configuration Single
Case Connection ISOLATED
Application GENERAL PURPOSE
Input Standard
Number of Phases 1
Current - Collector Cutoff (Max) 40μA
Current - Collector (Ic) (Max) 40A
IGBT Type Trench Field Stop
Input Capacitance (Cies) @ Vce 2.8nF @ 25V
Lead Free Lead Free
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