DD1200S33KL2CB5NOSA1 Technische Spezifikationen

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Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Gleichrichter-Dioden-Array
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Chassis Mount
Package / Case Block, 4 Lead
Packaging Bulk
Part Status Obsolete
Number of Terminations 4
HTS Code 8541.10.00.80
Terminal Form UNSPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Operating Temperature (Max) 125°C
Speed Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr 1700A @ 1800V
Case Connection ISOLATED
Output Current-Max 1200A
Halogen Free Not Halogen Free
Current - Average Rectified (Io) 1200A DC
Average Rectified Current 1.2kA
Diode Configuration 2 Independent
Lead Free Contains Lead
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Chassis Mount
Diode Element Material SILICON
Published 2013
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Position UPPER
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-XUFM-X4
Number of Elements 2
Diode Type Standard
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 3.5V @ 1200A
Operating Temperature - Junction -40°C~125°C
Application GENERAL PURPOSE
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 3300V
Max Reverse Voltage (DC) 3.3kV
Number of Phases 1
RoHS Status Non-RoHS Compliant
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