DDB6U100N16RRBOSA1 Technische Spezifikationen

IGBT MOD 1200V 50A 350W

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / IGBT-Module
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 10 Weeks
Mounting Type Chassis Mount
Number of Pins 17
Operating Temperature -40°C~150°C
Series EconoBRIDGE™
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 17
Type Discrete Semicondutor
Terminal Form UNSPECIFIED
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Case Connection ISOLATED
Forward Current 100A
Halogen Free Not Halogen Free
Collector Emitter Voltage (VCEO) 1.6kV
Peak Reverse Current 5mA
Current - Collector Cutoff (Max) 1mA
Reverse Voltage 1.6kV
NTC Thermistor No
Height 17mm
Width 45mm
Lead Free Contains Lead
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount PCB, Screw
Package / Case Module
Transistor Element Material SILICON
Published 1999
Pbfree Code no
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Position UPPER
Pin Count 17
Configuration Single Chopper
Output Current 60A
Power - Max 350W
Transistor Application POWER CONTROL
Input Standard
Max Collector Current 50A
Max Repetitive Reverse Voltage (Vrrm) 1.6kV
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3.2V @ 20V, 50A
Input Capacitance (Cies) @ Vce 3.3nF @ 25V
Length 107.5mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
DDB6U100N10R EUPEC Spezialisierte heiße ICs 2913
DDB6U100N12R EUPEC IGBT-Module 2792
DDB6U100N12RR IGBT Module IGBT-Module 2823
DDB6U100N16R EUPEC IGBT-Module 1239
DDB6U100N16RR IGBT Module IGBT-Module 2825
DDB6U100N16RRBOSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - IGBTs - Module 2759
DDB6U104N12RR Infineon IGBT-Module 2638
DDB6U104N14RR Infineon IGBT-Module 2542
DDB6U104N16PR EUPEC Spezialisierte heiße ICs 1409
DDB6U104N16R IGBT Module IGBT-Module 2773

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