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DF160R12W2H3_B11 Technische Spezifikationen

IGBT MODULE VCES 1200V 150A

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / IGBT-Module
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 28 Weeks
Transistor Element Material SILICON
Pbfree Code no
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Additional Feature UL APPROVED
Terminal Form UNSPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 4
Case Connection ISOLATED
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Collector Current-Max (IC) 50A
Collector-Emitter Voltage-Max 1200V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Surface Mount NO
Published 2013
Part Status Active
Number of Terminations 19
Terminal Position UPPER
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-XUFM-X19
Configuration COMPLEX
Transistor Application POWER CONTROL
Turn On Time 49 ns
Turn Off Time-Nom (toff) 375 ns
RoHS Status RoHS Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
DF160R12W2H3FB11BOMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Dioden - Brückengleichrichter 2661
DF160R12W2H3FB11BOMA1 Infineon Technologies Brückengleichrichter
DF160R12W2H3FB11BPSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - IGBTs - Module 0
DF160R12W2H3FB11BPSA1 Infineon Technologies IGBT-Module
DF160R12W2H3F_B11 IGBT Module IGBT-Module 2782
DF160R12W2H3_B11 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - IGBTs - Module 2579
DF160R12W2H3_B11 IGBT Module IGBT-Module 2608

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DF160R12W2H3_B11 Markenhersteller: Infineon Technologies, Bonchip Aktie, DF160R12W2H3_B11 Referenzpreis. DF160R12W2H3_B11 Parameter, DF160R12W2H3_B11 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden DF160R12W2H3_B11 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden DF160R12W2H3_B11 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, DF160R12W2H3_B11 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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