F3L100R12W2H3B11BPSA1 Technische Spezifikationen

IGBT MODULE VCES 600V 200A

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / IGBT-Module
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 16 Weeks
Mount Screw
Package / Case Module
Operating Temperature -40°C~150°C
Part Status Active
Number of Terminations 32
Additional Feature UL APPROVED
Terminal Form UNSPECIFIED
Number of Elements 4
Case Connection ISOLATED
Transistor Application GENERAL PURPOSE
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Collector Emitter Voltage (VCEO) 1.2kV
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Turn On Time 175 ns
Turn Off Time-Nom (toff) 465 ns
Input Capacitance (Cies) @ Vce 6.15nF @ 25V
Lead Free Contains Lead
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Contact Plating Tin
Mounting Type Chassis Mount
Transistor Element Material SILICON
Published 2002
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Position UPPER
JESD-30 Code R-XUFM-X32
Configuration Three Phase Inverter
Power - Max 375W
Halogen Free Not Halogen Free
Input Standard
Current - Collector Cutoff (Max) 1mA
Current - Collector (Ic) (Max) 100A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.75V @ 15V, 50A
NTC Thermistor Yes
RoHS Status RoHS Compliant
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