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FD1000R33HE3KBOSA1 Technische Spezifikationen

IGBT MODULE 3300V 1000A

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / IGBT-Module
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Chassis Mount
Operating Temperature -40°C~150°C
Reach Compliance Code compliant
Power - Max 11500W
Current - Collector Cutoff (Max) 5mA
Current - Collector (Ic) (Max) 1000A
IGBT Type Trench Field Stop
Input Capacitance (Cies) @ Vce 190nF @ 25V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case Module
Part Status Active
Configuration Dual Brake Chopper
Input Standard
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 3300V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3.15V @ 15V, 1kA
NTC Thermistor No
RoHS Status RoHS Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
FD1000-10TDB NEC Spezialisierte heiße ICs 2608
FD1000015 Diodes Incorporated Oszillatoren 2763
FD1000016 Diodes Incorporated Oszillatoren 2790
FD1000017 Diodes Incorporated Oszillatoren 2569
FD1000A FINEHIP Spezialisierte heiße ICs 1330
FD1000A(SL83293) FINECHI Spezialisierte heiße ICs 2768
FD1000A(SL83293B) FINECHI Spezialisierte heiße ICs 2501
FD1000A-56 IGBT Module IGBT-Module 5418
FD1000A-64 FINECHI Spezialisierte heiße ICs 2727
FD1000D-32 Mitsubishi IGBT-Module 5435

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FD1000R33HE3KBOSA1 Markenhersteller: Infineon Technologies, Bonchip Aktie, FD1000R33HE3KBOSA1 Referenzpreis. FD1000R33HE3KBOSA1 Parameter, FD1000R33HE3KBOSA1 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden FD1000R33HE3KBOSA1 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden FD1000R33HE3KBOSA1 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, FD1000R33HE3KBOSA1 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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