FD1400R12IP4DBOSA1 Technische Spezifikationen

IGBT MODULE VCES 1200V 1400A

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / IGBT-Module
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Chassis Mount
Surface Mount NO
Transistor Element Material SILICON
Published 2002
Part Status Active
Number of Terminations 11
Max Power Dissipation 7.7kW
Terminal Form UNSPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-XUFM-X11
Number of Elements 1
Case Connection ISOLATED
Transistor Application POWER CONTROL
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Collector Emitter Voltage (VCEO) 1.75V
Collector Emitter Breakdown Voltage 1.2kV
Current - Collector (Ic) (Max) 1400A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 1400A
IGBT Type Trench Field Stop
Input Capacitance (Cies) @ Vce 82nF @ 25V
RoHS Status RoHS Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case Module
Number of Pins 12
Operating Temperature -40°C~150°C
Pbfree Code no
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Position UPPER
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Pin Count 12
Qualification Status Not Qualified
Configuration Single
Power - Max 7700W
Halogen Free Not Halogen Free
Input Standard
Current - Collector Cutoff (Max) 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Turn On Time 340 ns
Turn Off Time-Nom (toff) 1200 ns
NTC Thermistor Yes
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Contains Lead
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FD1400R12IP4D IGBT Module IGBT-Module 2608
FD1400R12IP4DBOSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - IGBTs - Module 0

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