FD200R12KE3HOSA1 Technische Spezifikationen

IGBT MODULE VCES 1200V 200A

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / IGBT-Module
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 14 Weeks
Package / Case Module
Transistor Element Material SILICON
Published 2012
Part Status Active
Number of Terminations 5
Terminal Position UPPER
Pin Count 5
Number of Elements 1
Case Connection ISOLATED
Halogen Free Not Halogen Free
Input Standard
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 200A
IGBT Type Trench Field Stop
Input Capacitance (Cies) @ Vce 14nF @ 25V
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Chassis Mount
Surface Mount NO
Operating Temperature -40°C~125°C
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) Not Applicable
ECCN Code EAR99
Terminal Form UNSPECIFIED
JESD-30 Code R-XUFM-X5
Configuration Single Chopper
Power - Max 1050W
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Current - Collector Cutoff (Max) 5mA
Turn On Time 400 ns
Turn Off Time-Nom (toff) 830 ns
NTC Thermistor No
RoHS Status Non-RoHS Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
FD2000 FINECHIP Spezialisierte heiße ICs 1680
FD2000046 Diodes Incorporated Oszillatoren 2511
FD2000047 Diodes Incorporated Oszillatoren 2791
FD2000048 Diodes Incorporated Oszillatoren 2775
FD2000049 Diodes Incorporated Oszillatoren 2559
FD2000051 Diodes Incorporated Oszillatoren 2537
FD2000DU-120 IGBT Module IGBT-Module 2700
FD2005 FD Spezialisierte heiße ICs 2527
FD200AV-90 Mitsubishi IGBT-Module 2732
FD200R12KE3 Infineon IGBT-Module 1359

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