FD200R12KE3PHOSA1 Technische Spezifikationen

MOD IGBT MED PWR 62MM-1

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / IGBT-Module
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 14 Weeks
Package / Case Module
Transistor Element Material SILICON
Published 2007
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Position UPPER
JESD-30 Code R-XUFM-X5
Configuration Single
Transistor Application POWER CONTROL
Input Standard
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Turn On Time 400 ns
Turn Off Time-Nom (toff) 830 ns
NTC Thermistor No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Chassis Mount
Surface Mount NO
Operating Temperature -40°C~125°C
Part Status Active
Number of Terminations 5
Additional Feature UL RECOGNIZED
Terminal Form UNSPECIFIED
Number of Elements 1
Case Connection ISOLATED
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Current - Collector Cutoff (Max) 5mA
Current - Collector (Ic) (Max) 200A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 200A
IGBT Type Trench Field Stop
Input Capacitance (Cies) @ Vce 14nF @ 25V
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
FD2000 FINECHIP Spezialisierte heiße ICs 1680
FD2000046 Diodes Incorporated Oszillatoren 2511
FD2000047 Diodes Incorporated Oszillatoren 2791
FD2000048 Diodes Incorporated Oszillatoren 2775
FD2000049 Diodes Incorporated Oszillatoren 2559
FD2000051 Diodes Incorporated Oszillatoren 2537
FD2000DU-120 IGBT Module IGBT-Module 2700
FD2005 FD Spezialisierte heiße ICs 2527
FD200AV-90 Mitsubishi IGBT-Module 2732
FD200R12KE3 Infineon IGBT-Module 1359

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