FF1200R17KE3B2NOSA1 Technische Spezifikationen

IGBT MODULE 1700V 1200A

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / IGBT-Module
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Surface Mount NO
Published 2002
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Form UNSPECIFIED
Reach Compliance Code compliant
JESD-30 Code R-XUFM-X10
Configuration SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
Transistor Application POWER CONTROL
Turn On Time 1050 ns
Turn Off Time-Nom (toff) 2100 ns
RoHS Status Non-RoHS Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Transistor Element Material SILICON
Part Status Obsolete
Number of Terminations 10
Terminal Position UPPER
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 2
Case Connection ISOLATED
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Collector Current-Max (IC) 1700A
Collector-Emitter Voltage-Max 1700V
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
FF1200R12IE5BPSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - IGBTs - Module 2705
FF1200R12IE5BPSA1 Infineon Technologies IGBT-Module
FF1200R12IE5PBPSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - IGBTs - Module 2751
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