FF1200R17KE3NOSA1 Technische Spezifikationen

IGBT MODULE VCES 1700V 1200A

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / IGBT-Module
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mounting Type Chassis Mount
Number of Pins 10
Operating Temperature -40°C~125°C
Pbfree Code no
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Form UNSPECIFIED
Number of Elements 2
Element Configuration Dual
Case Connection ISOLATED
Halogen Free Not Halogen Free
Input Standard
Max Collector Current 1.6kA
Collector Emitter Breakdown Voltage 1.7kV
Collector Emitter Saturation Voltage 2V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.45V @ 15V, 1200A
NTC Thermistor No
RoHS Status RoHS Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Screw
Package / Case Module
Transistor Element Material SILICON
Published 2002
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 10
Terminal Position UPPER
Pin Count 10
Configuration Single Chopper
Power Dissipation 5.95kW
Power - Max 595000W
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Collector Emitter Voltage (VCEO) 1.7kV
Current - Collector Cutoff (Max) 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1700V
Turn On Time 1050 ns
Turn Off Time-Nom (toff) 2100 ns
Input Capacitance (Cies) @ Vce 110nF @ 25V
Lead Free Contains Lead
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