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FF225R17ME4PBPSA1 Technische Spezifikationen

MOD IGBT MED PWR ECONOD-3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / IGBT-Module
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 16 Weeks
Package / Case Module
Transistor Element Material SILICON
Published 2007
Part Status Active
Number of Terminations 11
Terminal Position UPPER
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-XUFM-X11
Configuration Half Bridge
Power - Max 20mW
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Current - Collector Cutoff (Max) 3mA
Current - Collector (Ic) (Max) 450A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 225A
IGBT Type Trench Field Stop
Input Capacitance (Cies) @ Vce 18.5nF @ 25V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Chassis Mount
Surface Mount NO
Operating Temperature -40°C~150°C
Series EconoDUAL™ 3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Form UNSPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 2
Case Connection ISOLATED
Transistor Application POWER CONTROL
Input Standard
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1700V
Turn On Time 350 ns
Turn Off Time-Nom (toff) 1500 ns
NTC Thermistor Yes
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
FF225R12ME3 IGBT Module IGBT-Module 2778
FF225R12ME3BOSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - IGBTs - Module 2789
FF225R12ME3BOSA1 Infineon Technologies IGBT-Module
FF225R12ME4 IGBT Module IGBT-Module 2985
FF225R12ME4B11BPSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - IGBTs - Module 2744
FF225R12ME4B11BPSA1 Infineon Technologies IGBT-Module
FF225R12ME4BOSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - IGBTs - Module 2696
FF225R12ME4BOSA1 Infineon Technologies IGBT-Module
FF225R12ME4PB11BPSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - IGBTs - Module 0
FF225R12ME4PB11BPSA1 Infineon Technologies IGBT-Module

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