FF600R12IE4VBOSA1 Technische Spezifikationen

IGBT MODULE VCES 600V 600A

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / IGBT-Module
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 50 Weeks
Package / Case Module
Transistor Element Material SILICON
Published 2002
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Form UNSPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 2
Element Configuration Dual
Power - Max 3350W
Halogen Free Not Halogen Free
Input Standard
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Turn On Time 410 ns
Turn Off Time-Nom (toff) 1020 ns
NTC Thermistor Yes
RoHS Status Non-RoHS Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Chassis Mount
Surface Mount NO
Operating Temperature -40°C~150°C
Part Status Active
Number of Terminations 10
Terminal Position UPPER
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PUFM-X10
Configuration 2 Independent
Case Connection ISOLATED
Transistor Application GENERAL PURPOSE
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Current - Collector Cutoff (Max) 5mA
Current - Collector (Ic) (Max) 600A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.05V @ 15V, 600A
IGBT Type Trench Field Stop
Input Capacitance (Cies) @ Vce 37nF @ 25V
Lead Free Contains Lead
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
FF60012KT4_E IGBT Module IGBT-Module 2679
FF600M12ME4B11 International Rectifier (Infineon Technologies) Spezialisierte ICs 5000
FF600R06ME3 Infineon IGBT-Module 1378
FF600R06ME3BOSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - IGBTs - Module 2740
FF600R06ME3BOSA1 Infineon Technologies IGBT-Module
FF600R06ME4 Infineon IGBT-Module 2747
FF600R07ME4 International Rectifier (Infineon Technologies) Spezialisierte heiße ICs 1499
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